晶體管 IRLI640GPBF MOSFET
發(fā)布時間：2018/6/15
IRLI640GPBF介紹：
描述 MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
對無鉛要求的達標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 18 周
詳細描述 通孔 N 溝道 200V 9.9A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 9.9A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，5V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 180 毫歐 @ 5.9A，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 66nC @ 10V
Vgs（最大值） ±10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 40W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220-3
封裝/外殼 TO-220-3 全封裝，隔離接片
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