晶體管 BSZ097N04LSGATMA1 MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/6/15
BSZ097N04LSGATMA1介紹：
描述 MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 40V 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），35W（Tc） PG-TSDSON-8
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 12A（Ta），40A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 9.7 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 14μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 24nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），35W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PG-TSDSON-8
封裝/外殼 8-PowerTDFN
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晶體管在電路最常用的用途應(yīng)該是屬于信號放大這一方面，其次是阻抗匹配、信號轉(zhuǎn)換等，晶體管在電路中是個很重要的元件，許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。
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