晶體管 IPP126N10N3GXKSA1 FET
發(fā)布時(shí)間：2018/6/13
IPP126N10N3GXKSA1介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 58A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 12.3 毫歐 @ 46A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 46μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 35nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 94W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO-220-3
封裝/外殼 TO-220-3
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
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具有輸入電阻高(10^8~10^9Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者.
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