晶體管 IXTB62N50L MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/6/8
IXTB62N50L介紹：
描述 MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 通孔 N 溝道 500V 62A（Tc） 800W（Tc） PLUS264?
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 500V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 62A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 550nC @ 20V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 11500pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 800W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 100 毫歐 @ 31A，20V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 PLUS264?
封裝/外殼 TO-264-3，TO-264AA
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無論多么優(yōu)良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因，晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進步以及多方面的改善，晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍，稱得起永久性器件的美名。
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