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晶體管 FDB7030BL MOSFET

發(fā)布時間:2018/6/6

FDB7030BL介紹:
描述 MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 15 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 60A(Ta) 60W(Tc) TO-263AB
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 60A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 5V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1760pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 60W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 9 毫歐 @ 30A,10V
工作溫度 -65°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 TO-263AB
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
安富利(深圳)商貿有限公司介紹:

公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導體(AMD)、愛特梅爾(Atmel)、安捷倫;

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地址:深圳市前海深港合作區(qū)前灣一路1號A棟201
電話:0755-83259719

按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。
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