MOSFET - 單 2N7008-G 半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間：2018/6/6
2N7008-G介紹：
描述 MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 10 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 60V 230mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Microchip Technology
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 230mA（Tj）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 50pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 7.5 歐姆 @ 500mA，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-92-3
封裝/外殼 TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）
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而IGFET的柵極絕緣層，有可能是其他物質(zhì)，而非金氧半場(chǎng)效晶體管使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場(chǎng)效晶體管組件時(shí)比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是金氧半場(chǎng)效晶體管。
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