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存儲(chǔ)器 BRCB064GWZ-3E2 EEPROM

發(fā)布時(shí)間:2018/6/6

BRCB064GWZ-3E2介紹:

描述 IC EEPROM 64KBIT 400KHZ 30UCSP

對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(jí)(MSL) 1(無限)

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 12 周

詳細(xì)描述 EEPROM 存儲(chǔ)器 IC 64Kb (8K x 8) I2C 400kHz UCSP30L1

類別 集成電路(IC)

存儲(chǔ)器

制造商 Rohm Semiconductor

系列 -

包裝 ? 帶卷(TR) ?

零件狀態(tài) 在售

存儲(chǔ)器類型 非易失

存儲(chǔ)器格式 EEPROM

技術(shù) EEPROM

存儲(chǔ)容量 64Kb (8K x 8)

時(shí)鐘頻率 400kHz

寫周期時(shí)間 - 字,頁 5ms

存儲(chǔ)器接口 I2C

電壓 - 電源 1.6 V ~ 5.5 V

工作溫度 -40°C ~ 85°C(TA)

安裝類型 表面貼裝

封裝/外殼 6-XFBGA,CSPBGA

供應(yīng)商器件封裝 UCSP30L1

安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹:


公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機(jī)、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國(guó)仿真器件(ADI)、國(guó)際整流器(IR)、

臺(tái)灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國(guó)美商半導(dǎo)體(AMD)、愛特梅爾(Atmel)、安捷倫;


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在較大的微控制器系統(tǒng)或基于處理器的系統(tǒng)中,設(shè)計(jì)工程師可以利用引導(dǎo)代碼進(jìn)行初始化。應(yīng)用本身通常決定了是否需要引導(dǎo)代碼,以及是否需要專門的引導(dǎo)存儲(chǔ)器。

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