晶體管 SI4456DY-T1-E3 FET
發(fā)布時(shí)間：2018/5/16
SI4456DY-T1-E3介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 33A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 122nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 5670pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.5W（Ta），7.8W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 3.8 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
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判定柵極G:將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔，用萬(wàn)用表的負(fù)極任意接一電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)極，測(cè)其電阻.若兩次測(cè)得的電阻值近似相等，則負(fù)表筆所接觸的為柵極，另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換，若兩次測(cè)出的電阻都很大，則為N溝道;若兩次測(cè)得的阻值都很小，則為P溝道。
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