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晶體管 FDS8928A FET

發(fā)布時間:2018/5/14

FDS8928A介紹:
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 和 P 溝道
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓(Vdss) 30V,20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 5.5A,4A
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 30 毫歐 @ 5.5A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 28nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 900pF @ 10V
功率 - 最大值 900mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝 8-SO
安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹:

公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philips)、
海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導體(AMD)、愛特梅爾(Atmel)、安捷倫;

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根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點是柵極的內(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件。
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