晶體管 MTD5P06V FET
發(fā)布時(shí)間：2018/5/9
MTD5P06V介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 5A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 20nC @ 10V
Vgs（最大值） ±15V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），40W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 450 毫歐 @ 2.5A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 DPAK
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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對(duì)于低噪聲晶體管，在置換時(shí)應(yīng)當(dāng)用噪聲系數(shù)較小或相等的晶體管。
對(duì)于具有自動(dòng)增益控制性能的晶體管，在置換時(shí)應(yīng)當(dāng)用自動(dòng)增益控制特性相同的晶體管。
對(duì)于開關(guān)管，在置換時(shí)還要考慮其開關(guān)參數(shù)。
