晶體管 UNR221900L 預偏置
發(fā)布時間：2018/5/9
UNR221900L介紹：
描述 TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置
制造商 Panasonic Electronic Components
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
晶體管類型 NPN - 預偏壓
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V
電阻器 - 基底（R1） 1 kOhms
電阻器 - 發(fā)射極基底（R2） 10 kOhms
不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值） 250mV @ 300μA，10mA
電流 - 集電極截止（最大值） 500nA
頻率 - 躍遷 150MHz
功率 - 最大值 200mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝 迷你型3-G1
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為了提高單電子晶體管的工作溫度，必須使量子點的尺寸小于10納米，目前世界各實驗室都在想各種辦法解決這個問題。有些實驗室宣稱已制出室溫下工作的單電子晶體管，觀察到由電子輸運形成的臺階型電流——電壓曲線，但離實用還有相當?shù)木嚯x。
