晶體管IPD65R250E6 MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/5/2
IPD65R250E6介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS? E6
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 16.1A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 400μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 45nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 950pF @ 1000V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 208W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 250 毫歐 @ 4.4A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO252-3
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
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