存儲(chǔ)器MT47H256M8EB-25E:C DRAM
發(fā)布時(shí)間：2018/4/13
MT47H256M8EB-25E:C介紹：
類(lèi)別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
存儲(chǔ)器類(lèi)型 易失
存儲(chǔ)器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - DDR2
存儲(chǔ)容量 2Gb （256M x 8）
時(shí)鐘頻率 400MHz
寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè) 15ns
訪問(wèn)時(shí)間 400ps
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.7 V ~ 1.9 V
工作溫度 0°C ~ 85°C（TC）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
封裝/外殼 60-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝 60-FBGA（9x11.5）
基本零件編號(hào) MT47H256M8
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
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由于電容不可能長(zhǎng)期保持電荷不變，必須定時(shí)對(duì)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)電路的各存儲(chǔ)單元執(zhí)行重讀操作，以保持電荷穩(wěn)定，這個(gè)過(guò)程稱(chēng)為動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器刷新。PC/XT機(jī)中DRAM的刷新是利用DMA實(shí)現(xiàn)的。首先應(yīng)用可編程定時(shí)器8253的計(jì)數(shù)器1，每隔1⒌12μs產(chǎn)生一次DMA請(qǐng)求，該請(qǐng)求加在DMA控制器的0通道上。當(dāng)DMA控制器0通道的請(qǐng)求得到響應(yīng)時(shí)，DMA控制器送出到刷新地址信號(hào)，對(duì)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器執(zhí)行讀操作，每讀一次刷新一行。
