存儲(chǔ)器IS62WV51216BLL-55BI SRAM
發(fā)布時(shí)間：2018/4/11
IS62WV51216BLL-55BI介紹：
類(lèi)別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
存儲(chǔ)器類(lèi)型 易失
存儲(chǔ)器格式 SRAM
技術(shù) SRAM - 異步
存儲(chǔ)容量 8Mb （512K x 16）
寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè) 55ns
訪問(wèn)時(shí)間 55ns
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 2.5 V ~ 3.6 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
封裝/外殼 48-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝 48-迷你型BGA（6x8）
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
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按照與CPU的接近程度，存儲(chǔ)器分為內(nèi)存儲(chǔ)器與外存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱(chēng)內(nèi)存與外存。內(nèi)存儲(chǔ)器又常稱(chēng)為主存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱(chēng)主存），屬于主機(jī)的組成部分；外存儲(chǔ)器又常稱(chēng)為輔助存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱(chēng)輔存），屬于外部設(shè)備。CPU不能像訪問(wèn)內(nèi)存那樣，直接訪問(wèn)外存，外存要與CPU或I/O設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，必須通過(guò)內(nèi)存進(jìn)行。在80386以上的高檔微機(jī)中，還配置了高速緩沖存儲(chǔ)器（cache），這時(shí)內(nèi)存包括主存與高速緩存兩部分。
