MOSFET-單 TPH1R204PL,L1Q 晶體管-FET
發(fā)布時間：2018/3/27
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 U-MOSIX-H
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零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 150A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 500μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 74nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 960mW（Ta）, 132W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 1.24 毫歐 @ 50A，10V
工作溫度 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-SOP Advance（5x5）
封裝/外殼 8-PowerVDFN
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