安富利TK7J90E,S1E晶體管 - FET，MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間：2018/3/22
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 π-MOSVIII
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 900V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 7A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 700μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 32nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 200W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 2 歐姆 @ 3.5A，10V
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-3P（N）
封裝/外殼 TO-3P-3，SC-65-3
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