安富利IPP60R190E6XKSA1晶體管 - FET，MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/3/22
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 20.2A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 630μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 63nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1400pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 151W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 190 毫歐 @ 9.5A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO-220-3
封裝/外殼 TO-220-3
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