量大從優(yōu)03N03LB集成電路IC
發(fā)布時間：2018/3/7
制造商
Infineon Technologies
制造商零件編號
IPB03N03LB G
描述 MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 80A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 59nC @ 5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 7624pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 2.8 毫歐 @ 55A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PG-TO263-3
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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