SIRA58ADP-T1-RE3 MOSFET
發(fā)布時間：2020/5/25
SIRA58ADP-T1-RE3規(guī)格：
制造商:Vishay
產品種類:MOSFET
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SO-8
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:40 V
Id-連續(xù)漏極電流:109 A
Rds On-漏源導通電阻:2.65 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V, - 16 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.1 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
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SIRA58ADP-T1-RE3產品圖片：
