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詳細信息

系列	-
包裝	剪切帶（CT）
零件狀態(tài)	有效
FET 類型	MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能	邏輯電平柵極，4V 驅動
漏源極電壓（Vdss）	100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）	170mA（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）	18 歐姆 @ 80mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）	2.6V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）	0.9nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）	14pF @ 20V
功率 - 最大值	600mW
工作溫度	150°C（TJ）
安裝類型	表面貼裝
封裝/外殼	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝	3-CPH
標準包裝	1
其它名稱	ERT-D

注意事項：

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2：買家咨詢的時候請務必說清楚（完整型號、封裝、數量），以便我們及時報價。
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4：千元以上免運費(特殊商品除外)。

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